在會議室，李飛解釋手機射頻PA在工藝材料上可分為CMOS和GAas這兩種工藝的區別…，以及，在未來市場的分析…。 … 不過，李飛並沒有說出，在21世紀，2G手機是完全使用CMOS工藝的射頻PA晶片，在3G手機上CMOS和Gaas各為一半，但是，由於CMOS工藝的問題，在4G和5G手機上，還處研發階段...。 … 那麼，根據重生前的記憶，CMOS工藝的射頻PA是在2006年研發成功，真正地大規模商用，大約是在2009年，在這之前，Gaas工藝一直是射頻PA的主流， 也就是說，現在推出CMOS工藝的手機射頻PA是有非常大的市場。並且在2G和3G手機市場上有絕對的優勢，要知道，即使在2020年，2G手機銷售量還是達到了2億臺！ … 當然，除了在手機射頻PA的CMOS和GAas這兩種工藝，還有其它的工藝BiCMOS… … 聽完李飛對手機射頻PA的工藝解釋後...，員工們發自內心的驚歎：李工可真是晶片技術研發大神，不光熟悉電子電路技術研發，對晶片工藝也是非常精通…！！！ ... 因為李飛所說的手機射頻PA的CMOS和GAas這兩種工藝，是21世紀所研發的射頻PA晶片工藝技術資料。 … 確定了射頻PA的工藝後，接下來，就是確定手機射頻PA的內部電路模組：前級電路，一緩衝級、中間放大級、末級功率放大級…。在寫字板上寫出手機射頻PA的內部電路模組，然後，李飛大概地說出手機RF射頻功率放大器工作原理： “從射頻收發晶片輸出GSM射頻發射訊號和DCS射頻發射中頻訊號，經過濾波電路和阻抗匹配電路，輸入到RF射頻功率放大器PA的前級電路，不過，由於射頻收發晶片輸出發射中頻訊號功率是很小，需要經過RF射頻功率放大器一系列的放大，一緩衝級、中間放大級、末級功率放大級，獲得足夠的射頻功率以後，才能饋送到天線上發射出去。” … “而手機RF射頻PA的發射功率可分為19個等級（0.2W-2W），是透過手機基帶的自動功率控制APC訊號透過電壓來實現對PA的控制，用於控制不同的功率等級。其原因就是根據手機的工作場景，手機基帶晶片根據接收的訊號強度，去確定手機發射的距離，然後進行功率自動控制，送出適當的發射等級訊號，從而來決定射頻PA的功率…。” … 說完手機RF射頻PA的工作原理後，李飛就確定大深市晶片產業有限公司研發手機RF射頻功率放大器的引數： 1純正CMOS工藝， 2GSM功率輸出：33.5dBm 3DCS功率輸出：31.0dBm 4GSM發射功率效率：45% 5DCS發射功率效率：45%。 6封裝型別LGA，7.0mmx7.0mmx1.2mm … 確定了射頻PA的各項引數後，那麼，就要開始進行射頻PA電路設計了，先進行前端的設計，是對射頻PA的晶片內部模組進行合理地劃分功能，以及確定各個模組的功能指標，例如：前級電路，一緩衝級、中間放大級、末級功率放大級… 再輸入硬體描寫語言，以程式碼來描述去實現模組功能，並生成電路圖和狀態轉移圖，然後再用Cadence的Verilog－XL，Cadence的NC-Verilog進行模擬，確定模組電路設計是否正確， 接著，用Cadence的PKS輸入硬體描述語言轉換成門級網路表Netlist，去確定電路的面積，時序等目標引數上達到的標準，確定相關引數後，再一次進行模擬，確定模組電路是否無誤， 然後，進行後端設計的資料準備，是確定前期邏輯設計用硬體描述語言生成的門級網路表Netlist，以及模組電路與晶片製造工廠提供的標準單元、宏單元和IOPad的庫檔案相等一致... 再進行晶片佈局，晶片佈線... … 當然，在設計過程裡，除了對射頻PA電路功能模擬，去驗證制定的引數…，還是需要對射頻PA電路進行各種的模擬，例如：電磁干擾EMI，因為射頻PA的工作電流是非常大，最高可高達2W，那麼，在射頻PA高功率工作狀態之下，會產生電磁波，干擾晶片內部周圍的電子電路， … 由於，李飛在設計CMOS工藝的RF射頻功率放大器有豐富的經驗，在一個月內完成了晶片設計，並在各項引數上，完全超出了當初制定的引數… … 然後，輸出價格製造檔案，交給臺級電進行生產，不過，當郵件發給臺級電客戶總監，一個小時後的時間，臺級電客戶總監打電話過來，語氣尊敬地問道：這章沒有結束，請點選下一頁繼續閱讀！